硅电容

M01XX-T

三维硅沟槽电容器 · 0.08-4.7nF

DC36912 GHz

3D Si Trench Capacitor Series

参数

器件
三维硅沟槽电容器
电容
0.08-4.7nF
电容容差
±15 %
耐压值 绝缘耐压
100 V
漏电流
1 nA
损耗
- dB
性能指标
容值: 0.08-4.7nF;容值误差: ±15%;容值齐全;M0130,100PF;M0156,1000PF
手册
V1.2

同分类型号