硅电容

MMIC 无源

硅电容。型号、频率（GHz）、器件、电容、电容容差（%）、耐压值绝缘耐压（V）、漏电流（nA）、损耗（dB）、性能指标
型号	频率GHz	器件	电容	电容容差%	耐压值绝缘耐压V	漏电流nA	损耗dB	性能指标
M01XX		硅基MIS芯片电容器系列	15-100pF	±20 %	100 V	1 nA	0.04 dB	容值: 15-100pF; 容值误差: ±20%; 耐压: 100V;M0101是100PF
M01XX-T		三维硅沟槽电容器	0.08-4.7nF	±15 %	100 V	1 nA	- dB	容值: 0.08-4.7nF；容值误差: ±15%；容值齐全；M0130,100PF；M0156,1000PF